Особенности замены транзисторов в радиотехнике TankInfo.ru - Каталог танков

КУЧА-МАЛА

      60-летию Победы посвящается

 
Каталог - "Танки"
 


 

 

Строительство, ремонт

Особенности замены транзисторов в радиотехнике

При конструировании, создании и применении сотовой аппаратуры необходимо знать ее специфические параметры. Хорошая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена максимально при учете таких факторов, как разброс свойств транзисторов, их температурная стабильность и зависимость параметров от вида работы, а также изменение характеристик транзисторов в процессе эксплуатации.

Биполярные транзисторы сохраняют свои параметры в установленных рамках в условиях работы и хранения, характерных для различных видов и классов электроники. Условия эксплуатации техники могут меняться в обширных диапазонах. Данные условия можно охарактеризовать внешними ударными силами и погодными параметрами (атмосферными и др.).

Общие условия, справедливые для всех полупроводниковых приборов, предназначенных для использования в оборудовании связи определенного типа, содержатся в общих технических заданиях. Нормы на значения эксплуатационных параметров и специфические требования, относящиеся к конкретному классу транзистора, содержатся в частных технических требованиях.

Для простоты разработки и ремонта электроники, важные характеристики транзисторов и их цоколевка доступны в справочнике. К преимуществам онлайн справочника можно отнести его общедоступность, пополняемость, мгновенный поиск нужного полевого транзистора по маркировке и мгновенный поиск аналогов.

Под действием неблагоприятных факторов окружающей среды любые характеристики транзисторов и свойства будут меняться. Для герметичной защиты транзисторных структур от климатических воздействий применяются корпуса приборов. Конструктивное оформление биполярных транзисторов рассчитано на их надежную работу в составе средств спутниковой связи при заданных допустимых условиях эксплуатации. Необходимо запомнить, что корпуса полупроводниковых приборов, в конечном счете, имеют предел по герметичности. Поэтому при использовании полупроводниковых приборов в аппаратуре, предназначенной для работы в условиях экстремальной влажности, платы с установленными на них транзисторами рекомендуется обрабатывать защитным составом не менее чем в три слоя.

Все большее распространение получают так называемые бескорпусные элементы, разрабатываемые для работы в микросхемах и микросборках. Кристаллы данных элементов защищены специальным слоем, но он не дает прочной обороны от воздействия окружающей среды. Защита максимизируется общей герметизацией всей микросборки.

Чтобы осуществить долголетнюю и безотказную функционирование полупроводникового оборудования, разработчик обязан не только учесть характерные особенности биполярных транзисторов на этапе разработки техники, но и охарактеризовать нужные условия ее применения и хранения.

полевые транзисторы - приборы универсального применения. Они могут быть отлично использованы не только в типе приборов, для которых они разработаны, но и в любых других устройствах. Но набор параметров и характеристик, приводимых в электронном справочнике, соответствует первоочередному использованию транзистора. В справочнике приводятся значения характеристик полевых транзисторов, гарантируемые ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий график трехполюсника в разрабатываемом устройстве часто отличается от того режима, для которого приведены характеристики в ТУ.

Значения многих параметров транзисторов зависят от реального режима и температуры и с увеличением температуры значение параметров от режима заметно более сильно. В хорошем справочнике приводятся типовые (усредненные) зависимости характеристик полупроводниковых приборов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Данные взаимные влияния должны использоваться при выборе типа транзистора и примерных расчетах, так как значения характеристик трехполюсников одного типа не идентичны, а находятся в некотором диапазоне. Этот интервал ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые свойства имеют двустороннее ограничение.

При настройке сотовой аппаратуры необходимо стремиться обеспечить их эффективность в возможно более широких интервалах изменений важнейших свойств транзисторов. Разброс свойств транзисторов и их изменение во времени при ремонте могут быть учтены расчетными методами или эмпирически — способом граничных испытаний.

Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом эксплуатируются в режиме обеднения n-канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при преобразовании напряжения затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.

В отличие от транзисторов с управляющим р-n переходом, у которых используемая область составляет от Uзи = 0 до напряжения запирания, МДП-транзисторы имеют высокое входное сопротивление при различных значениях напряжения на затворе, которое ограничено потенциалом пробоя изолятора затвора.

При нужде эксплуатации трехполюсников для выполнения задач, отличающихся от основного предназначения, решение о возможности их использования в этих режимах может быть сделан после измерения параметров трехполюсников в этих режимах, проведения необходимых испытаний и согласования их характеристик в соответствии со стандартами.

Режимы работы транзисторов обязаны контролироваться с учетом возможных неблагоприятных сочетаний условий применения аппаратуры.

Для транзисторов, изготовленных для применения на согласованную нагрузку, при регулировании аппаратуры необходимо принимать меры, не допускающие возможность работы транзистора на рассогласованную нагрузку. Если однозначно это исключить нет возможности, то настройку следует осуществлять при низком напряжении питания или низкой мощности возбуждения.

Из справочника можно узнать основные характеристики транзистора 2N1613.


Другие статьи:
Далее

Тротуарная плитка

Межевые и кадастровые работы

Недорогой ремонт квартир

Интернет магазин инструмента в Калининграде

Дренаж канализация

Силовые трансформаторы: сухие и масляные

 

Последние статьи: